Samsung, hem RAM‘in hızını hem de SSD’nin kalıcı veri depolama özelliğini tek bir hafıza teknolojisinde buluşturan “Selector-Only Memory” (SOM) adının verildiği yeni bir bellek teknolojisinin geliştirilmesini hızlandırıyor. Bu yeni bellek türünün aynı zamanda daha fazla yoğunluk için istiflemeye de izin verdiği belirtiliyor. Samsung dışında bu bellek teknolojisi üzerinde SK Hynix’de çalışmalar yürütüyor. RAM + SSD = SOM
Selector-Only Memory (SOM), flash depolama gibi veriyi kalıcı olarak saklarken, DRAM’in hızlı okuma ve yazma hızını da sunuyor. Bu iki temel özelliği birleştirerek kullanıcıya hızlı ve uzun süreli veri saklama avantajı sağlıyor. Ayrıca, SOM çiplerinin katmanlı yapıda bir araya getirilerek daha yüksek yoğunluk elde edilmesi mümkün.
Samsung’un SOM teknolojisinin ardında, hem bellek hücresi hem de seçici cihaz işlevi gören özel bir kalkojenit malzeme kullanımı yatıyor. Bu, faz değiştiren veya dirençli RAM teknolojisinde gerekli olan transistör gibi bir bileşen ihtiyacını ortadan kaldırıyor. SOM’da kullanılan kalkojenit malzeme, veri saklamak için iletken ve dirençli durumlar arasında geçiş yapabiliyor.
Bununla birlikte SOM teknolojisi için uygun kalkojenit bileşiğin bulunması kritik bir adım. Samsung, farklı kalkojenit kombinasyonlarının potansiyelini öngörebilmek için gelişmiş bilgisayar modellemelerini kullanarak 4.000’in üzerinde olası kombinasyon arasından 18 en uygun malzemeyi belirledi. Bu sayede, binlerce kombinasyonu fiziksel deneylerle test etmenin yaratacağı yüksek maliyet ve zaman kaybından kaçınmış oldu. Samsung, SOM teknolojisinin geliştirilmesiyle ilgili elde ettiği bulguları Aralık ayında düzenlenecek olan IEDM toplantısında sunmayı planlıyor. Firma geçen yıl aynı etkinlikte, 16nm hücre boyutuna sahip 64 Gb kapasiteli bir SOM çip prototipi tanıtarak bu alanda iddialı olduğunu ortaya koymuştu.